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ULN2004L-D16-T相关型号
  • UT2301G-AE2-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.8A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:450mV @ 250uA(最小) 漏源导通电阻:130mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.14W 类型:P沟道

  • 2N7002KG-AE2-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:2Ω @ 300mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

  • 19N10L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):15.6A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道

  • 1N65G-AA3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:12.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):8W(Tc) 类型:N沟道

  • 14N50L-TQ2-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4.5V @ 100uA 漏源导通电阻:500mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道

  • 1N60L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5Ω @ 600mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):28W(Tc) 类型:N沟道

  • 2N60L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):44W 类型:N沟道

  • 15N10L-TN3-R

    连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):37.4W(Tc) 类型:N沟道

图片仅供参考,请参考产品描述

  • ULN2004L-D16-T

  • 制造商:UTC(友顺)
  • 批号:最新
  • 描述:
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  • 库存数量:50000+

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详细参数

  • 商品目录达林顿晶体管阵列驱动
  • 额定功率1.47W
  • 集电极电流Ic500mA
  • 集射极击穿电压Vce50V
  • 晶体管类型NPN

其它信息

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